F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | Module |
| パワー - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 297nC @ 18V |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 2000V (2kV) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 112mA |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 24100pF @ 1.2kV |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 155A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 100A, 18V |