CSD85312Q3E
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 20V |
| パワー - 最大 | 2.5W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| パッケージ / ケース | 8-PowerVDFN |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 39A |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
| FETフィーチャー | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 2390pF @ 10V |