BSC0910NDIATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| パワー - 最大 | 1W |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 25V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| パッケージ / ケース | 8-PowerTDFN |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
| FETフィーチャー | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TISON-8 |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A, 31A |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 4500pF @ 12V |