2N5115E3

部品番号:
2N5115E3
メーカー:
Microchip Technology
Other Part Numbers:
-
説明:
JFET P-CH 30V TO18
Datasheet:
PDF

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
パワー - 最大 500 mW
FETタイプ P-Channel
パッケージ / ケース TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
電圧 - ブレークダウン (V(BR)GSS) 30 V
抵抗 - RDS(On) 100 Ohms
サプライヤーデバイスパッケージ TO-18 (TO-206AA)
電圧 - カットオフ (VGSオフ) @ Id 3 V @ 1 nA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 25pF @ 15V
電流 - ドレイン (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15 mA @ 15 V